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한국전기화학회 한국전기화학회

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Vol.17, No.1, February 2014

Photoelectrochemical Water Splitting Using GaNGaN를 이용한 광전기화학적 물분해
JKES Vol.17, No.1, pp.1-6, February 2014
DOI : 10.5229/JKES.2014.17.1.1
Ilwhan Oh*오일환*
Department of Applied Chemistry, Kumoh National Institute of Technology, Gumi, Korea금오공과대학교 응용화학과
본 총설은 질화 갈륨(GaN)을 이용한 광전기화학적 물분해 연구에 대해 정리하였다. GaN는 화 학적으로 안정하고 에너지 띠간격 조절이 자유롭다는 장점으로 최근 물분해를 위한 새로운 광전 극 물질로 연구되고 있다. 다른 화합물 반도체 물질은 강산 혹은 강염기 전해액에 의해 쉽게 부식되기 때문에 광산화전극(photoanode)으로는 사용이 어려운 반면, n형 GaN는 뛰어난 안정성 덕분에 산화 분위기의 산소 발생 전극으로도 활용이 가능하다. 또한, 최근에는 p형 GaN을 환원 전극으로 이용한 광전극에 대한 연구도 보고되었다. GaN 물질이 실제 응용되기 위해 필요한 과 제들에 대해 다루었다.
Keyword : Gallium nitride, Water splitting, Chemical stability

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